전원 관리 F2013의데이터 시트
부품명: F2013
패키지:
제조사: Polyfet RF Devices
발 명:
부품 상세설명: PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
온도 범위: Min °C | Max °C
F2013
부품명: F2013
패키지:
제조사: Polyfet RF Devices
발 명:
부품 상세설명: PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
온도 범위: Min °C | Max °C
F2013