전원 관리 W4NXD8D-S000의데이터 시트

부품명: W4NXD8D-S000

패키지:

제조사: Cree

발 명:

부품 상세설명: Diameter 50.8mm; select mircopipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

온도 범위: Min °C | Max °C

W4NXD8D-S000 PDF